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Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium(IV) TEMAZ 四(甲乙氨基)鋯(IV)

規格: 99.5%(99.9999%-Zr,Hf<50ppm)
CAS: 175923-04-3
產品編號: H30167
MDL: MFCD03427131
品牌: INFI

ALD簡介

   原子層沉積技術(Atomic Layer Deposition,簡稱ALD)是一種在納米尺度上進行薄膜沉積的先進技術。通過將物質以單原子形式一層一層的鍍在基底表面,擁有優異的三維共形性、大面積成膜的均勻性和精確控制膜厚等特點。

ALD應用

ALD在能源領域應用

2009年,Miyaska課題組將鈣鈦礦材料MAPbI3用作燃料敏化太陽能電池的光伏活性層,正式開啟了鈣鈦礦太陽能電池的新紀元。ALD憑借其均勻成膜性、精準控制厚度和保形性等多種優勢,在光伏領域中發揮著重要作用。除此之外,ALD技術還可用于鋰電池薄膜涂層,提高電池性能

ALD在泛半導體應用

隨著泛半導體行業的發展,對微型化和集成化要求越來越高,尺寸縮小至亞微米和納米量級,ALD作為一種高精度薄膜沉積技術,可用于晶體管柵極電介質層(高K材料)、金屬柵電極、有機發光顯示器涂層、銅互聯擴散阻擋層、DRAM電介質層、微流體和MEMS涂層、傳感器等眾多領域。

ALD在光學領域應用

由于 ALD 具有的三維共形沉積和大面積均勻性特點,已成功應用于高質量光學薄膜、增透膜、折射率可調的光學薄膜、波狀多層膜,改善了光子晶體的光學性質和可控性,增加了光子晶體在未來光學器件中的應用潛力。

 公司致力于ALD高純半導體薄膜前驅體材料的自主研發和生產,成立以來,已陸續向多家半導體客戶提供了百余種前驅體新材料,包括高純硅基前驅體系列、High-k前驅體系列產品,部分新品已被客戶用于5nm以下制程薄膜設備。我們致力為客戶提供優質的產品并建立互信、長久的合作關系,產品具有自主知識產權且原材料國產化,打破國外壟斷的同時保證供應鏈的安全。研峰科技愿與國內芯片、高端顯示、光伏新能源等高端客戶一起攜手,解決高端半導體材料的把脖子難題,早日實現進口替代。




Chemical NameTetrakis(Ethylmethylamido)Zirconium(Iv) TEMAZ
Synonym TEMAZ 四(乙基甲基胺基)鋯(IV) 四(乙基甲基氨基)鋯(IV) Tetrakis(diethylamido)zirconium(IV) TEMAZ 四(乙基甲基氨基)鋯(IV)
CAS Number175923-04-3
PubChem Substance ID4446313
MDL NumberMFCD03427131
Chemical Name Translation四(甲乙氨基)鋯(IV)
LabNetwork Molecule IDLN02144069
InChIInChI=1S/4C3H8N.Zr/c4*1-3-4-2;/h4*3H2,1-2H3;/q4*-1;+4
GHS Symbol
WGK Germany3
Hazard Codes F,Xi
Hazard statements
  • H315 Causes skin irritation 會刺激皮膚
  • H335 May cause respiratory irritation 可能導致呼吸道刺激
  • H319 Causes serious eye irritation 嚴重刺激眼睛
  • H225 Highly flammable liquid and vapour 高度易燃液體和蒸氣
  • H261 In contact with water releases flammable gas 與水接觸時釋放可燃氣體。
    Personal Protective Equipment Eyeshields, Faceshields, full-face respirator (US), Gloves, multi-purpose combination respirator cartridge (US), type ABEK (EN14387) respirator filter
    Precautionary statements
    • P210 Keep away from heat/sparks/open flames/hot surfaces. — No smoking. 遠離熱源/火花/明火/熱的表面。——禁止吸煙。
    • P305+P351+P338
    • P422 Store contents under… 存儲目錄在…之下。
    • P231+P232
    • P261 Avoid breathing dust/fume/gas/mist/vapours/spray. 避免吸入粉塵/煙/氣體/煙霧/蒸汽/噴霧。
      Signal word Danger
      Safety Statements
      • S26 In case of contact with eyes, rinse immediately with plenty of water and seek medical advice 眼睛接觸后,立即用大量水沖洗并征求醫生意見;
      • S30 Never add water to this product 切勿將水加入該產品中;
      • S37 Wear suitable gloves 戴適當手套;
      • S16 Keep away from sources of ignition - No smoking 遠離火源,禁止吸煙;
      • S36 Wear suitable protective clothing 穿戴適當的防護服;
        Packing GroupII
        UN Number UN3399
        Risk Statements
        • R11 Highly flammable 非常易燃
        • R36/37/38 Irritating to eyes, respiratory system and skin 對眼睛、呼吸系統和皮膚有刺激性
        • R14 Reacts violently with water 遇水會猛烈反應
        • R14/15 Reacts violently with water, liberating extremely flammable gases 遇水劇烈反應,釋放出高度可燃氣體
          Storage condition Air & Moisture Sensitive
          Restrict 危險品
        • {SA} Won, S-J.; Kim, J-Y.; Choi, G-J.; Heo, J.; Hwang, C. S.; Kim, H. J. Mater. Chem. 21 , 4374, (2009)
        • 175923-04-3 H30167 Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium(IV) TEMAZ
四(甲乙氨基)鋯(IV)
          ')); console.log('img_render'); ln_pop_up_load('#id_simg_2ec399fc-b17e-11f0-83c5-09841b440eda', 'STRUCTURE IMG');" />

          化學屬性

          Mol. FormulaC12H32N4Zr
          Mol. Weight323.63
          Boiling Point81 °C/0.1 mmHg(lit.)
          Density1.0499
          Flash Point10°(50°F)
          TSCANo
          Appearance light yellow liq.
          Stabilitymoisture sensitive
          Danger-Level-
          pH-:-
          Redox-

          *以上化合物性質及應用等信息僅供參考